트랜스폼, 세계 3대 노트북 메이커의 65W USB-C PD GaN 전원 어댑터 설계

제품 테어다운으로 HP 65W USB-C PD/PPS 이중 출력 전원 어댑터에 사용된 트랜스폼 SuperGaN® FET 기술 공개

2023-02-08 14:40 출처: Transphorm, Inc. (나스닥 TGAN)
골레타, 캘리포니아--(뉴스와이어)--고신뢰성, 고성능 질화갈륨(GaN) 전력 변환 제품의 선구자이자 글로벌 공급업체인 트랜스폼(Transphorm, Inc.)(나스닥: TGAN)은 오늘 자사의 GaN 기술이 휴렛 팩커드 USB-C PD/PPS 전원 어댑터에 사용됐다고 발표했다. 이번 디자인 윈(design-win)을 통해 25와트에서 350와트까지 저전력 및 중간 전력 어댑터 부문에서 트랜스폼 GaN FET 기술의 기반을 굳혔다.

SuperGaN® 기술의 차별성

HP 전원 어댑터는 트랜스폼의 SuperGaN Gen IV TP65H300G4LSG 650V GaN FET을 사용한다. 이 기술은 트랜스폼 GaN 장치와 동의어가 된 설계 용이성과 높은 신뢰성과 고성능을 제공한다.

또한 트랜스폼은 최근 FIT(작동 시간 내 고장 수) 비율이 0.05 미만으로 현장 신뢰성 데이터 1000억 시간 이상을 달성했다. 이런 통계에는 25와트에서 3.6킬로와트까지 업무에 중요한 애플리케이션을 비롯한 광범위한 전력 수준을 포함된다.

이전에는 더 큰 다이(175mOhm) e-모드 GaN 장치와 비교할 때 트랜스폼의 더 작은 다이(240mOhm) SuperGaN FET가 150°C에서 더 낮은 온 저항 상승(23%)을 보였고, 플랫폼의 내재적인 성능 이점으로 인해 50% 및 100%(전체) 전력에서 더 높은 성능을 보인 것으로 확인됐다.

필드 애플리케이션 및 기술 세일즈 부사장인 투르샤르 다야구드(Tushar Dhayagude)는 다음과 같이 말했다. “이번 디자인 윈이 중요한 이유는 HP와 같은 티어 1 고객이 인정하는 최고의 성능과 품질과 신뢰성에 대한 우리의 노력을 통해 고객이 혜택을 볼 수 있기 때문입니다. 우리의 GaN FET는 통합된 기성품 드라이버가 포함된 컨트롤러에 기술적인 구애를 받지 않아서 설계가 용이하고 구동 가능성이 높기 때문에 저전력 및 고전력 세그먼트 모두에서 다양한 시장에 계속 채택되면서 중요성이 점차 높아지고 있습니다.”

HP 테어다운: https://www.chargerlab.com/teardown-of-hp-65w-dual-usb-c-gan-power-adapter/

트랜스폼 소개

트랜스폼은 GaN 혁명의 글로벌 리더이며 고전압 전력 변환 애플리케이션을 위한 높은 안정성의 고성능 GaN 반도체를 설계 및 생산한다. 1000개 이상의 특허를 소유 또는 등록한 최신 전력 GaN IP 포트폴리오를 보유한 트랜스폼은 업계 최초로 JEDEC 및 AEC-Q101 적격 고전압 GaN 반도체 기기를 생산하고 있다. 이 회사의 수직적 통합 기기 비즈니스 모델은 설계, 패브리케이션, 기기 및 애플리케이션 지원까지 모든 개발 단계에 적용할 수 있다. 트랜스폼의 혁신을 통해 전력 전자기기는 실리콘의 제한을 뛰어넘어 99%가 넘는 효율성, 40% 늘어난 전력 밀도 및 20% 낮아진 시스템 비용을 달성하게 됐다. 트랜스폼은 캘리포니아주 골레타에 본사를 두고 있으며 골레타와 일본 아이즈에 제조 시설을 운영하고 있다.

웹페이지: www.transphormusa.com

팔로우: Twitter @transphormusa 및 WeChat @ Transphorm_GaN

본 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.

이 뉴스는 기업·기관·단체가 뉴스와이어를 통해 배포한 보도자료입니다. 배포 안내 >
뉴스와이어 제공